參數(shù)資料
型號(hào)： SB0503EC
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： ECSP1008-2, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： SB0503EC
Philips Semiconductors
Product specification
Triacs
BT139B series E
sensitive gate
Fig.1. Maximum on-state dissipation, P
tot, versus rms
on-state current, I
T(RMS), where α = conduction angle.
Fig.2. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
TSM, versus pulse width tp, for
sinusoidal currents, t
p ≤ 20ms.
Fig.3. Maximum permissible non-repetitive peak
on-state current I
TSM, versus number of cycles, for
sinusoidal currents, f = 50 Hz.
Fig.4. Maximum permissible rms current I
T(RMS) ,
versus mounting base temperature T
mb.
Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state
current I
T(RMS), versus surge duration, for sinusoidal
currents, f = 50 Hz; T
mb ≤ 99C.
Fig.6. Normalised gate trigger voltage
V
GT(Tj)/ VGT(25C), versus junction temperature Tj.
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
= 180
120
90
60
30
IT(RMS) / A
Ptot / W
Tmb(max) / C
125
119
113
107
101
95
1
-50
0
50
100
150
0
5
10
15
20
BT139
99 C
Tmb / C
IT(RMS) / A
10us
100us
1ms
10ms
100ms
10
100
1000
T / s
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
dI /dt limit
T
T2- G+ quadrant
0.01
0.1
1
10
0
10
20
30
40
50
surge duration / s
IT(RMS) / A
1
10
100
1000
0
50
100
150
Number of cycles at 50Hz
ITSM / A
T
ITSM
time
I
Tj initial = 25 C max
T
-50
0
50
100
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
Tj / C
VGT(Tj)
VGT(25 C)
July 2001
3
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SB0503EJ 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SB0503SH 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SB0503SH 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SB060-E3/73 0.6 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SB050-E3/54 0.6 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SB0503EC-TR 功能描述:DIODE SCHOTT 30V 0.5A ECSP1008-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SB0503EJ 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:30V, 500mA Rectifier
SB05-03Q 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:30V, 500mA Rectifier
SB05-03Q-TL-E 功能描述:肖特基二極管與整流器 SCHOTTKY DIODE 500MA 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
SB0503SH 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Schottky Barrier Diode 30V, 0.5A Rectifier
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