參數(shù)資料
型號(hào)： SA631
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： 1GHz low voltage LNA and mixer
中文描述： 1GHz的低電壓低噪聲放大器和混頻器
文件頁(yè)數(shù)： 3/16頁(yè)
文件大小： 103K
代理商： SA631
Philips Semiconductors
Product specification
SA631
1GHz low voltage LNA and mixer
1998 Jan 08
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
SYMBOL
PARAMETER
RATING
UNITS
V
CC
Supply voltage
1
–0.3 to +6
V
V
IN
Voltage applied to any other pin
–0.3 to (V
CC
+ 0.3)
V
P
D
Power dissipation, T
amb
= 25
°
C (still air)
2
20-Pin Plastic SSOP
980
mW
T
JMAX
Maximum operating junction temperature
150
°
C
P
MAX
Maximum power input/output
+20
dBm
T
STG
Storage temperature range
–65 to +150
°
C
NOTES:
1. Transients exceeding 8V on V
CC
pin may damage product.
2. Maximum dissipation is determined by the operating ambient temperature and the thermal resistance,
θ
JA
: 20-Pin SSOP
= 110
°
C/W
3. Pins 19 and 20 are ESD sensitive (mixer outputs).
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
SYMBOL
PARAMETER
RATING
UNITS
V
CC
Supply voltage
2.7 to 5.5
V
T
amb
Operating ambient temperature range
–40 to +85
°
C
T
J
Operating junction temperature
–40 to +105
°
C
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
= +3.0V, T
amb
= 25
°
C; unless otherwise stated.
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITIONS
LIMITS
UNITS
MIN
TYP
MAX
Full power-on
8.3
mA
I
CC
Supply current
LNA powered-down
5.2
mA
Full power-down
20
μ
A
V
T
PD logic threshold voltage
1.2
1.6
1.8
V
V
IH
Logic 1 level
2.0
V
CC
V
V
IL
Logic 0 level
–0.3
0.8
V
I
IL
PD1 input current
Enable = 0.4V
10
μ
A
I
IH
PD2 input current
Enable = 2.4V
10
μ
A
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