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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SA56614-43GW |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 電源管理 |
| 英文描述： | CMOS system reset |
| 中文描述： | 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO5 |
| 封裝： | 1.60 MM, PLASTIC, MO-178, SOT23-5, SOT-25, SOP-5 |
| 文件頁數(shù)： | 4/14頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | SA56614-43GW |
Philips Semiconductors
Product data
SA56614-XX
CMOS system reset
2001 Jun 19
4
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics measured with T
amb
= 25
°
C, unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TEST
CIRCUIT
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
S
Reset detection threshold
V
S
– 2%
V
S
V
S
+ 2%
V
V
S
Hysteresis
V
DD
= 0 V
→
V
S
+ 1.0 V
→
0 V
1
V
S
×
0.03
V
S
×
0.05
V
S
×
0.08
V
V
S
/
T
Threshold voltage temperature
coefficient
–40
°
C
≤
T
amb
≤
+85
°
C
Fig. 16
–
±
0.01
–
%/
°
C
I
CC
Supply current
V
DD
= V
S
+ 1.0 V
–
0.25
1.0
μ
A
I
OH
I
DS
leakage current when OFF
V
DD
= V
DS
= 10 V
3
Fig. 18
–
–
0.1
μ
A
I
NDS1
N-channel I
DS
output sink current 1
V
DD
= 1.2 V; V
DS
= 0.5 V
–0.23
–1.4
–
mA
I
NDS2
N-channel I
output sink current 2
(for V
S
> 2.6 V)
DS
= 0.5 V; V
DD
= 2.4 V
2
Fig. 17
–1.6
–8.3
–
mA
I
NDS3
N-channel I
DS
output sink current 3
(for V
S
> 3.9 V)
V
DS
= 0.5 V; V
DD
= 3.6 V
–3.2
–14.7
–
mA
I
PDS1
P-channel I
DS
output source current 1
(for V
S
< 4.0 V)
V
DS
= 0.5 V; V
DD
= 4.8 V
0.36
2.1
–
mA
I
PDS2
P-channel I
DS
output source current 2
(for V
S
< 5.7 V)
V
DS
= 0.5 V; V
DD
= 6.0 V;
4.0 V < V
S
< 5.7 V
3
Fig. 18
0.46
2.5
–
mA
I
PDS3
P-channel I
DS
output source current 3
(for V
S
< 5.7 V)
V
DS
= 0.5 V; V
DD
= 8.4 V
0.59
3.3
–
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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