TEST CIRCUITS
參數(shù)資料
型號(hào)： SA5212AD/01,118
廠(chǎng)商： NXP Semiconductors
文件頁(yè)數(shù)： 18/20頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC TRANSIMP AMP 140MHZ 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,500
放大器類(lèi)型： 轉(zhuǎn)阻
電路數(shù)： 1
輸出類(lèi)型： 差分
-3db帶寬： 140MHz
電流 - 電源： 26mA
電流 - 輸出 / 通道： 4mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 4.5 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SO
包裝： 帶卷 (TR)
其它名稱(chēng)： 935275245118
SA5212AD/01-T
SA5212AD/01-T-ND
Philips Semiconductors
Product specification
SA5212A
Transimpedance amplifier (140MHz)
1998 Oct 07
7
TEST CIRCUITS (Continued)
GND2
Test Circuit 8
OUT +
OUT –
GND1
IN
DUT
IIN (A)
5V
VOUT (V)
+
–
Typical Differential Output Voltage
vs Current Input
2.00
1.60
1.20
0.80
0.40
0.00
–0.40
–0.80
–1.20
–1.60
–2.00
–200
–160
–120
–80
–40
0
40
80
120
160
200
DIFFERENTIAL
OUTPUT
VOL
T
AGE
(V)
CURRENT INPUT (
A)
NE5212A TEST CONDITIONS
Procedure 1
RT measured at 30A
RT = (VO1 – VO2)/(+30A – (–30A))
Where: VO1 Measured at IIN = +30A
VO2 Measured at IIN = –30A
Procedure 2
Linearity = 1 – ABS((VOA – VOB) / (VO3 – VO4))
Where: VO3 Measured at IIN = +60A
VO4 Measured at IIN = –60A
V
OA +
R
T @
(
) 60mA) ) V
OB
V
OB +
R
T @
(
* 60mA) ) V
OB
Procedure 3
VOMAX = VO7 – VO8
Where: VO7 Measured at IIN = +130A
VO8 Measured at IIN = –130A
Procedure 4
IIN Test Pass Conditions:
VO7 – VO5 > 20mV and V06 – VO5 > 20mV
Where: VO5 Measured at IIN = +800A
VO6 Measured at IIN = –80A
VO7 Measured at IIN = +130A
VO8 Measured at IIN = –130A
SD00340
Figure 6. Test Circuit 8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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