參數(shù)資料
型號(hào)： SA5211D
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 通信及網(wǎng)絡(luò)
英文描述： Transimpedance amplifier 180MHz
中文描述： SPECIALTY TELECOM CIRCUIT, PDSO14
封裝： PLASTIC, SO-14
文件頁(yè)數(shù)： 9/20頁(yè)
文件大?。?/td> 172K
代理商： SA5211D
Philips Semiconductors
Product specification
SA5211
Transimpedance amplifier (180MHz)
1998 Oct 07
9
TEST CIRCUITS
(Continued)
GND
2
Test Circuit 8
OUT +
OUT –
GND
1
IN
DUT
I
IN
(
μ
A)
5V
V
OUT
(V)
+
–
Typical Differential Output Voltage
vs Current Input
2.00
1.60
1.20
0.80
0.40
0.00
–0.40
–0.80
–1.20
–1.60
–2.00
–100
–80
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
D
CURRENT INPUT (
μ
A)
NE5211 TEST CONDITIONS
Procedure 1
R
T
measured at 15
μ
A
R
T
= (V
O1
– V
O2
)/(+15
μ
A – (–15
μ
A))
Where: V
O1
Measured at I
IN
= +15
μ
A
V
O2
Measured at I
IN
= –15
μ
A
Procedure 2
Linearity = 1 – ABS((V
OA
– V
OB
) / (V
O3
– V
O4
))
Where: V
O3
Measured at I
IN
= +30
μ
A
V
O4
Measured at I
IN
= –30
μ
A
VOA
VOB
RT
RT
(
30 A)
VOB
VOB
(
30 A)
Procedure 3
V
OMAX
= V
O7
– V
O8
Where: V
O7
Measured at I
IN
= +65
μ
A
V
O8
Measured at I
IN
= –65
μ
A
Procedure 4
I
IN
Test Pass Conditions:
V
O7
– V
O5
> 20mV and V
06
– V
O5
> 50mV
Where: V
O5
Measured at I
IN
= +40
μ
A
V
O6
Measured at I
IN
= –400
μ
A
V
O7
Measured at I
IN
= +65
μ
A
V
O8
Measured at I
IN
= –65
μ
A
SD00331
Figure 6. Test Circuit 8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SA5211 Transimpedance amplifier 180MHz
SA5212 Transimpedance amplifier 140MHz
SA5212A Transimpedance amplifier 140MHz
SA5212AD Transimpedance amplifier 140MHz
SA5212AFE Transimpedance amplifier 140MHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SA5211D/01,112 功能描述:特殊用途放大器 TRANSIMP AMP 180MHZ RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:Single 共模抑制比（最小值）: 輸入補(bǔ)償電壓: 工作電源電壓:3 V to 5.5 V 電源電流:5 mA 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-20 封裝:Reel
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SA52-11EWA 制造商:Kingbright Corporation 功能描述:LED DISPLAY 0.52" HE RED CA
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