參數(shù)資料
型號： SA5205AN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： Wide-band high-frequency amplifier
中文描述： 0 MHz - 600 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大?。?/td> 190K
代理商： SA5205AN
Philips Semiconductors
Product specification
NE/SA/SE5205A
Wide-band high-frequency amplifier
1992 Feb 24
4
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
=6V, Z
S
=Z
L
=Z
O
=50
and T
A
=25
°
C in all packages, unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SE5205A
Typ
NE/SA5205A
Min
Typ
UNIT
Min
Max
Max
V
CC
Operating supply voltage range
Over temperature
5
5
6.5
6.5
5
5
8
8
V
V
I
CC
Supply current
Over temperature
20
19
25
25
32
33
20
19
25
25
32
33
mA
mA
S21
Insertion gain
f=100MHz
Over temperature
17
16.5
19
21
21.5
17
16.5
19
21
21.5
dB
S11
Input return loss
f=100MHz D, N
25
25
dB
DC - f
MAX
D, N
f=100MHz D, N
12
12
S22
Output return loss
27
27
dB
DC - f
MAX
f=100MHz
12
12
S12
Isolation
-25
-25
dB
DC - f
MAX
-18
-18
t
R
t
P
BW
Rise time
500
500
ps
Propagation delay
500
500
ps
Bandwidth
±
0.5dB D, N
-3dB D, N
300
450
MHz
f
MAX
Bandwidth
Noise figure (75
)
Noise figure (50
)
Saturated output power
550
MHz
f=100MHz
4.8
4.8
dB
f=100MHz
6.0
6.0
dB
f=100MHz
+7.0
+7.0
dBm
1dB gain compression
f=100MHz
+4.0
+4.0
dBm
Third-order intermodulation
intercept (output)
f=100MHz
+17
+17
dBm
Second-order intermodulation
intercept (output)
f=100MHz
+24
+24
dBm
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