參數(shù)資料
型號(hào)： SA16B6
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:680pF; Capacitance Tolerance:+/- 1 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:C0G/NP0; Package/Case:1206; Series:VJ; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Surface Mount
中文描述： 肖特基陣列
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 58K
代理商： SA16B6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
Ipp(A)
Tj=25
°
C
Tj=85
°
C
tp=2.5
μ
s
Tj=-40
°
C
Vcl(V)
Fig1-1:
Clamping forward voltage versus peak
pulse current(typical values,low level).
0
25
50
75
100
125
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2
Tj(
°
C)
IR(
μ
A)
VR=7.5V
Fig 2:
Leakage current versus junction tempera-
ture(typicalvalues).
0
25
50
75
100
125
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IFSM[Tj] / IFSM[Tj=25
°
C]
Tj(
°
C)
Fig 4:
Non repetitive surge peak forward current
versusinitialjunction temperature.
0
1
2
3
4
5
6
7
0.1
1.0
5.0
Ipp(A)
°
C
tTj=25
μ
s
Vcl(V)
Fig1-2:
Clamping forward voltage versus peak
pulsecurrent (typical values,highlevel).
1
10
100
1000
1
2
5
10
tp(
μ
s)
IFSM(A)
Tj initial =25
°
C
Fig 3:
Non repetitive surge peak forward current
versuspulse duration (rectangularwaveform).
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
16
18
20
22
24
26
28
30
Vi/o-gnd(V)
Ci/o(pF)
Vcc=5V
F=1MHz
Vosc=30mV
Fig 5:
Capacitance between input or output and
groundversusapplied voltage(typical values).
SA12B5 / SA16B3 / SA16B6
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PDF描述
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參數(shù)描述
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