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參數(shù)資料
| 型號： | S9S08AW16AE2CFT |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQCC48 |
| 封裝： | 7 X 7 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, MO-220VKKD-2, TQFN-48 |
| 文件頁數(shù)： | 251/338頁 |
| 文件大?。?/td> | 3467K |
| 代理商： | S9S08AW16AE2CFT |
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Appendix A Electrical Characteristics and Timing Specications
MC9S08AC16 Series Data Sheet, Rev. 4
324
Freescale Semiconductor
A.12
FLASH Specications
This section provides details about program/erase times and program-erase endurance for the FLASH
memory.
Program and erase operations do not require any special power sources other than the normal VDD supply.
For more detailed information about program/erase operations, see Chapter 4, “Memory.”
A.13
EMC Performance
Electromagnetic compatibility (EMC) performance is highly dependant on the environment in which the
MCU resides. Board design and layout, circuit topology choices, location and characteristics of external
components as well as MCU software operation all play a signicant role in EMC performance. The
system designer should consult Freescale applications notes such as AN2321, AN1050, AN1263,
AN2764, and AN1259 for advice and guidance specically targeted at optimizing EMC performance.
Table A-15. FLASH Characteristics
Num
C
Characteristic
Symbol
Min
Typ1
1 Typical values are based on characterization data at V
DD = 5.0 V, 25°C unless otherwise stated.
Max
Unit
1
Supply voltage for program/erase
Vprog/erase
2.7
5.5
V
2
Supply voltage for read operation
VRead
2.7
5.5
V
3
Internal FCLK frequency2
2 The frequency of this clock is controlled by a software setting.
fFCLK
150
200
kHz
4
Internal FCLK period (1/FCLK)
tFcyc
5
6.67
μs
5
Byte program time (random location)(2)
tprog
9
tFcyc
6
Byte program time (burst mode)(2)
tBurst
4
tFcyc
7
Page erase time3
3 These values are hardware state machine controlled. User code does not need to count cycles. This information
supplied for calculating approximate time to program and erase.
tPage
4000
tFcyc
8
Mass erase time(2)
tMass
20,000
tFcyc
9C
Program/erase endurance4
TL to TH = –40°C to + 125°C
T = 25
°C
4 Typical endurance for FLASH was evaluated for this product family on the 9S12Dx64. For additional information
on how Freescale Semiconductor denes typical endurance, please refer to Engineering Bulletin EB619, Typical
Endurance for Nonvolatile Memory.
10,000
—
100,000
—
cycles
10
Data retention5
5 Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and
de-rated to 25
°C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale Semiconductor denes
typical data retention, please refer to Engineering Bulletin EB618, Typical Data Retention for Nonvolatile Memory.
tD_ret
15
100
—
years
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S08AC32MFGE | 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44 |
| MC9S08AC48MFGE | 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44 |
| MC9S08AC60CFDE | 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, QCC48 |
| MC9S08AC32CFDE | 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, QCC48 |
| MC9S08AC32CFGE | 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S9S08AW16AE2CXX | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:8-Bit HCS08 Central Processor Unit (CPU) |
| S9S08AW16AE2MXX | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:8-Bit HCS08 Central Processor Unit (CPU) |
| S9S08AW16AE2VXX | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:8-Bit HCS08 Central Processor Unit (CPU) |
| S9S08AW16E5CFDE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MCU 8BIT HCS08 CISC 16KB FLASH 3.3V/5V 48QFN EP - Trays |
| S9S08AW16E5CFGE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MCU 8BIT HCS08 CISC 16KB FLASH 3.3V/5V 44LQFP - Bulk |
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