參數(shù)資料
型號： S8593
元件分類： 光敏二極管
英文描述： PHOTO DIODE
封裝： CERAMIC, DIP-28
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 293K
代理商： S8593
S8593 is a 2-D Si photodiode array formed by micro-machining techniques to provide exceptionally low cross-talk. (Patent pending)
PHOTODIODE
PRELIMINARY DATA
Jan. 2002
S8593
Si photodiode array
2-D photodiode array with low cross-talk
Features
l Low cross-talk
l 5 × 5 element photodiode array
l 28-pin DIP ceramic package
l Active area size: 1.3 × 1.3 mm [× (5 × 5 elements)]
Element pitch: 1.5 mm (XY directions)
Applications
l Low-light-level detection
l Spectrophotometers
l Position detection
Patent Pending
s Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Reverse voltage
VR Max.5
V
Operating temperature
Topr
-20 to +60
°C
Storage temperature
Tstg
-20 to +80
°C
s Electrical and optical characteristics (Ta=25
°C, unless otherwise noted, per 1 element)
Parameter
Symbol
Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Spectral response range
λ
-
320 to 1000
-
nm
Peak sensitivity wavelength
λp
-
720
-
nm
Photo sensitivity
S
λ=410 nm
-0.28
-A/W
Dark current
ID
VR=10 mV
-
1
20
pA
Terminal capacitance
Ct
VR=0 V, f=10 kHz
-
80
-
pF
Rise time
tr
VR=0 V, RL=1 k
-
0.2
-
s
1
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