參數(shù)資料
型號(hào)： S75NS128ND0ZJWNK3
廠商： Spansion Inc.
英文描述： 1.8 Volt-only, Stacked Multi-Chip Product (MCP) x16 MirrorBit Flash Memory and DRAM
中文描述： 1.8伏只，堆疊多芯片產(chǎn)品（MCP）的x16 MirrorBit閃存和DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 5/211頁(yè)
文件大?。?/td> 2858K
代理商： S75NS128ND0ZJWNK3
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September 23, 2005 S75NS128NDE_00_A2
S75NS128NDE based MCPs
3
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
,=-1AA
Erase Suspend/Erase Resume Commands ...................................................56
Program Suspend/Program Resume Commands ......................................56
Lock Register Command Set Definitions ....................................................57
Password Protection Command Set Definitions ......................................57
Non-Volatile Sector Protection Command Set Definitions .................58
,H > I-AG
Global Volatile Sector Protection Freeze Command Set .....................60
Volatile Sector Protection Command Set ..................................................60
$@88@
Write Operation Status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
DQ7: Data# Polling ...........................................................................................66
,AJ 8D
DQ6: Toggle Bit I ...............................................................................................68
DQ2: Toggle Bit II ..............................................................................................68
,8>8G
$@D383@ D:
Reading Toggle Bits DQ6/DQ2 .....................................................................70
DQ5: Exceeded Timing Limits .......................................................................70
DQ3: Sector Erase Start Timeout State Indicator .....................................71
DQ1: Write to Buffer Abort .............................................................................71
$@9.1D@
Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . .73
,D4)/1.D=
,94) 1. D=
Operating Ranges . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
DC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .74
CMOS Compatible .............................................................................................74
Test Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
,GDA
$@GDA
Key to Switching Waveforms . . . . . . . . . . . . . . . 75
Switching Waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
,<:.4D8
AC Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .77
V
CC
Power-up ......................................................................................................77
,<<0
"E% DD
,<@E%DD
Synchronous/Burst Read ..................................................................................78
,<=>4;DG
Asynchronous Read ..........................................................................................80
,<H4;9:
,<A;9<
Erase/Program Operations .............................................................................82
,<8 19=
,<DI-19H
,<9K> 9A
,<GJ
*-$+98
,@:>*-$+98
,@<9"!<8"!=@".>
.9D
,@@>9D
,@=>"">;I.99
Erase and Programming Performance . . . . . . . . 89
Device History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
Flash Module Revision Summary . . . . . . . . . . . . .90
Mobile SDRAM Type 1
Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
Speed Options . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
Address Table . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .94
Functional Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . .95
,@H> GA
Pin Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .96
Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .97
Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
Mode Register Definition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
Burst Length . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
$=:> G9
,@A4;GG
Burst Type . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
CAS Latency . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
,@8 <::
$=< <::
Operating Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
Write Burst Mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
Extended Mode Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
Temperature Compensated Self Refresh . . . . . 101
Partial Array Self Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
Driver Strength . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
,@D-)4; <:@
Commands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
$=@$<"341 <:=
Command Inhibit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
No Operation (NOP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
Load Mode Register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
Active . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
Read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
Write . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
Precharge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
Auto Precharge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
Burst Terminate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
Auto Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
Self Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
Deep Power-down . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
Bank/Row Activation ........................................................................................106
,@9;
>; <:8
,@G4
;*4/+
Reads .....................................................................................................................107
,=:;<:9
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PDF描述
S75NS128NDE 1.8 Volt-only, Stacked Multi-Chip Product (MCP) x16 MirrorBit Flash Memory and DRAM
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S75NS128NDEZFWNJ2 1.8 Volt-only, Stacked Multi-Chip Product (MCP) x16 MirrorBit Flash Memory and DRAM
S75NS128NDEZFWNJ3 1.8 Volt-only, Stacked Multi-Chip Product (MCP) x16 MirrorBit Flash Memory and DRAM
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