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參數(shù)資料
| 型號： | S73WS256NEEBFWT70 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| 封裝： | 9 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 |
| 文件頁數(shù)： | 136/251頁 |
| 文件大小： | 3747K |
| 代理商： | S73WS256NEEBFWT70 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁當(dāng)前第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁
134
Mobile SDRAM Type 1
SDRAM_01_A3 November 8, 2005
P r e l i m i n a r y
!'$
!'$
Figure 47.8.
Write with Auto Precharge Interrupted by a Read
Figure 47.9.
Write with Auto Precharge Interrupted by a Write
DON’T CARE
CLK
DQ
T2
T1
T4
T3
T6
T5
T0
COMMAND
WBANK n
NOP
NOP
NOP
NOP
D
IN
a + 1
D
IN
a
NOP
NOP
T7
BANK n
BANK m
ADDRESS
BANK n,
COL a
BANK m,
COL d
BANK m
Internal
States
t
Page Active
WRITE with Burst of 4
Interrupt Burst, Write-Back Precharge
Page Active
READ with Burst of 4
t
tRP - BANKm
D
OUT
d
D
OUT
d + 1
CAS Latency = 3 (BANK m)
RP - BANK n
WR - BANK
DON’T CARE
CLK
DQ
T2
T1
T4
T3
T6
T5
T0
COMMAND
WRITE - AP
BANK n
NOP
NOP
NOP
NOP
D
IN
d + 1
D
IN
d
D
IN
a + 1
D
IN
a + 2
D
IN
a
D
IN
d + 2
D
IN
d + 3
NOP
T7
BANK n
BANK m
ADDRESS
NOP
BCOL a
BCOL d
WRITE - AP
BANK m
Internal
States
t
Page Active
WRITE with Burst of 4
Interrupt Burst, Write-Back
Precharge
Page Active
WRITE with Burst of 4
Write-Back
WR - BANK n
tRP - BANK n
tWR - BANK m
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