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參數資料
| 型號： | S71WS512ND0BFWY70 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產品（MCP） |
| 文件頁數： | 142/188頁 |
| 文件大小： | 2252K |
| 代理商： | S71WS512ND0BFWY70 |
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140
S71WS-Nx0 Based MCPs
S71WS-N_01_A4 September 15, 2005
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Latency = 5, Burst Length = 4 (MRS# = V
IH
).
Notes:
1.
The new burst operation can be issued only after the previous burst operation is finished. For the new burst operation,
t
BEADV
should be met.
/WAIT Low (t
WL
or t
): Data not available (driven by CS# low going edge or ADV# low going edge)
/WAIT High (t
): Data available (driven by Latency-1 clock)
/WAIT High-Z (t
WZ
): Data don’t care (driven by CS# high going edge)
Multiple clock risings are allowed during low ADV# period. The burst operation starts from the first clock rising.
Burst Cycle Time (t
BC
) should not be over 2.5μs.
Figure 33.2 Synchronous Burst Read to Asynchronous Write (Low ADV# Type)
2.
3.
4.
Table 33.2 Burst Read to Asynchronous Write (Low ADV# Type) AC Characteristics
Symbol
Speed
Units
Symbol
Speed
Units
Min
7
Max
—
Min
1
Max
—
t
BEADV
ns
t
WLRL
clock
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
19
20
ADV#
Address
CS#
Data out
OE#
CLK
DQ0
t
CD
Valid
Latency 5
t
HZ
t
CSS(B)
T
t
OH
Don’t Care
t
BEL
t
OEL
t
ADVS
t
ADVH
t
AS(B)
t
AH(B)
14
15
16
17
18
21
DQ1 DQ2
WE#
Data in
t
DH
t
DW
Data Valid
High-Z
High-Z
t
BEADV
t
AW
t
CW
t
WP
t
BW
t
AS
t
WR
Valid Addrss
Read Latency 5
t
WLRL
WAIT#
High-Z
t
WH
t
WL
t
WZ
DQ3
t
BC
High-Z
LB#, UB#
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PDF描述 |
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