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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL129JB0BFW9P3 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA64 |
| 封裝： | 8 X 11.60 MM, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 147/149頁 |
| 文件大?。?/td> | 2693K |
| 代理商： | S71PL129JB0BFW9P3 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁當(dāng)前第147頁第148頁第149頁
November 2, 2004 pSRAM_Type07_13_A1
pSRAM Type 7
147
A d v a n c e i n f o r m a t i o n
Note:
Both t
CHOX
and t
CHWX
define the earliest entry timing for Standby mode. If either of timing is not satisfied, it takes
t
RC
(min) period for Standby mode from CE1# Low to High transition.
Figure 72. Standby Entry Timing after Read or Write
Notes:
1.
The all address inputs must be High from Cycle #1 to #5.
2.
The address key must confirm the format specified in page 132. If not, the operation and data are not guaranteed.
3.
After t
CP
following Cycle #6, the Power Down Program is completed and returned to the normal operation.
Figure 73. Power Down Program Timing (for 32M/64M Only)
t
CHOX
CE1#
OE#
WE#
Active (Read)
Standby
Active (Write)
Standby
t
CHWX
ADDRESS
CE1#
DQ*
3
WE#
t
RC
OE#
LB#, UB#
RDa
MSB*
1
MSB*
1
MSB*
1
MSB*
1
MSB*
1
Key*
2
t
WC
t
WC
t
WC
t
WC
t
RC
t
CP
t
CP
t
CP
t
CP
t
CP
t
CP
*
3
Cycle #1
Cycle #2
Cycle #3
Cycle #4
Cycle #5
Cycle #6
RDa
RDa
X
X
RDb
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| S71PL129JB0BFW9Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
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