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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71PL129JA0BFW9U3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 107/149頁(yè) |
| 文件大小： | 2693K |
| 代理商： | S71PL129JA0BFW9U3 |
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August 30, 2004 pSRAM_Type01_12_A1
pSRAM Type 1
107
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Timing Diagrams
Read Cycle
W
twc
Write cycle time
70
20k
ns
tcw
Chipselect to end
of write
60
ns
tas
Address set up
Time
0
ns
taw
Address valid to
end of write
60
ns
tbw
UB#, LB# valid
to end of write
60
ns
twp
Write pulse width
50
20k
ns
twr
Write recovery
time
0
ns
twhz
Write to output
High-Z
5
ns
tdw
Data to write
time overlap
20
ns
tdh
Data hold from
write time
0
ns
tow
End write to
output Low-Z
5
tow
Write high pulse
width
7.5
ns
O
tpc
Page read cycle
20
20k
ns
tpa
Page address
access time
20
ns
twpc
Page write cycle
20
20k
ns
tcp
Chip select high
pulse width
10
ns
Figure 33. Timing of Read Cycle (CE# = OE# = V
IL
, WE# = ZZ# = V
IH
)
Page Mode
Performance Grade
-70
Density
64Mb pSRAM
3 Volt
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
Address
Data Out
t
RC
t
AA
t
OH
Data Valid
Previous Data Valid
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PDF描述 |
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