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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71PL129JA0BAW9Z3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 145/149頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2693K |
| 代理商： | S71PL129JA0BAW9Z3 |
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November 2, 2004 pSRAM_Type07_13_A1
pSRAM Type 7
145
A d v a n c e i n f o r m a t i o n
Notes:
1.
This timing diagram assumes CE2= H.
2.
CE1# can be tied to Low for WE# and OE# controlled operation.
Figure 67. Read / Write Timing #2 (OE#, WE# Control)
Notes:
1.
This timing diagram assumes CE2= H.
2.
CE1# can be tied to Low for WE# and OE# controlled operation.
Figure 68. Read / Write Timing #3 (OE#, WE#, LB#, UB# Control)
READ DATA OUTPUT
ADDRESS
CE1#
DQ
WE#
t
WC
t
WP
OE#
UB#, LB#
t
OE
WRITE ADDRESS
t
AS
t
RC
WRITE DATA INPUT
t
DS
t
OHZ
t
OH
t
AA
READ ADDRESS
t
WR
t
DH
t
OLZ
t
OH
READ DATA OUTPUT
t
OHZ
Low
t
ASO
t
OHAH
t
OES
t
OHAH
t
WHOL
READ DATA OUTPUT
ADDRESS
CE1#
DQ
WE#
t
WC
t
BW
OE#
UB#, LB#
t
BA
WRITE ADDRESS
t
AS
t
RC
WRITE DATA INPUT
t
DS
t
BHZ
t
OH
t
AA
READ ADDRESS
t
DH
t
BLZ
t
OH
READ DATA OUTPUT
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BHZ
Low
t
ASO
t
OHAH
t
OHAH
t
OES
t
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WR
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