型號: | S4VB204003L20 |
元件分類: | 橋式整流 |
英文描述: | 2.6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 331K |
代理商: | S4VB204003L20 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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S4VB204003L7.5 | 2.6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S4VB604001L15 | 2.6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S50A305FR | 3 PHASE, 50 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S50A305HE | 3 PHASE, 50 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S50VB60 | 30 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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S4VB20-5000 | 功能描述:整流器 VRM=200 IFSM=80 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
S4VB20-7000 | 功能描述:橋式整流器 VRM=200 IFSM=80 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S4VB60 | 功能描述:橋式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S4VB60-4000 | 功能描述:橋式整流器 VRM=600 IFSM=80 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S4VB60-5000 | 功能描述:橋式整流器 VRM=600 IFSM=80 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |