參數(shù)資料
型號： S3F49FAXZA
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： S3F49FAX for Compact Flash SPECIFICATION Revision 1.0
中文描述： S3F49FAX的閃存規(guī)范修訂版1.0
文件頁數(shù)： 25/27頁
文件大?。?/td> 296K
代理商： S3F49FAXZA
SPECIFICATION
S3F49FAX
24
Table 13. D.C. Electrical Characteristics (In Case of 5V Interface I/O)
(V
DD
= 5.0
±
0.5V, T
A
= -25 to 85
ο
C)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
CMOS
3.5
V
IH
High level input voltage
TTL
2.0
V
CMOS
1.5
V
IL
Low level input voltage
TTL
0.8
V
CMOS
2.45
V
T
Switching threshold
TTL
1.45
V
CMOS
3.0
3.5
V
T+
Switching trigger, positive-
going threshold
TTL
1.8
2.0
V
CMOS
1.5
2.0
V
T-
Switching trigger, negative-
going threshold
TTL
0.8
1.1
V
Input buffer
–10
10
I
IH
High level input current
Input buffer
with pull-up
V
IN
= V
DD
10
100
200
μ
A
Input buffer
–10
10
I
IL
Low level input current
Input buffer
with pull-up
V
IN
= V
SS
–200
–100
–10
μ
A
Type B4
I
OH
= –4 mA
I
OH
= –8 mA
I
OL
= 4 mA
I
OL
= 8 mA
V
OUT
=
V
SS
or V
DD
V
OH
High level output voltage
Type B8
V
DD
–0.8
V
Type B4
V
OL
Low level output voltage
Type B8
0.4
V
I
OZ
Tri-state output leakage current
–10
10
μ
A
I
DD
Maximum operating current
55
80
mA
I
DS
Stop current
V
DD
= 5.0 V,
VCON = 2.2 V
200
250
μ
A
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