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參數(shù)資料
| 型號： | S29PL-J55BAW021 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous-Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control |
| 中文描述： | CMOS 3V電壓供電，同步讀/寫Flash存儲器并有增強VersatileIO控制 |
| 文件頁數(shù)： | 80/96頁 |
| 文件大?。?/td> | 827K |
| 代理商： | S29PL-J55BAW021 |
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S29PL-J
S29PL-J_00_A9 September 22, 2006
D a t a
S h e e t
( A d v a n c e
I n f o r m a t i o n )
Figure 20.8
Chip/Sector Erase Operation Timings
Notes
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see
Write Operation Status on page 64
2. S29PL129J - During CE1# transitions, CE2# = V
IH
; During CE2# transitions, CE1# = V
IH
3. S29PL129J - There are two CE# (CE1#, CE2#). In the above waveform CE# = CE1# or CE2#.
OE#
CE#
Addresses
V
CC
WE#
Data
2AAh
SA
t
AH
t
WP
t
WC
t
AS
t
WPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
t
DS
t
VCS
t
CS
t
DH
55h
t
CH
Status
D
OUT
t
WHWH2
VA
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
RY/BY#
t
RB
t
BUSY
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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