- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365399 > S29NS128N0PBJW003 (SPANSION LLC) Simultaneous Read/Write, Multiplexed, Burst Mode Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29NS128N0PBJW003 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Simultaneous Read/Write, Multiplexed, Burst Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 80 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 73/86頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1036K |
| 代理商： | S29NS128N0PBJW003 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)當(dāng)前第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)
S29NS-N_00_A12 June 13, 2006
S29NS-N MirrorBit Flash Family
71
D a t a
S h e e t
( A d v a n c e
I n f o r m a t i o n )
Figure 19.7
Chip/Sector Erase Operations
Notes
1. SA is the sector address for Sector Erase.
2. Address bits A
max
–A16 are don’t cares during unlock cycles in the command sequence.
OE#
CE#
A/DQ15
–
A/DQ0
Amax
–
A16
AVD
WE#
CLK
V
CC
2AAh
55h
30h
t
AS
t
WP
t
AH
t
WC
t
WPH
SA
SA
555h for
chip erase
t
VCS
t
CS
t
DH
t
CH
In
Progress
t
WHWH2
VA
VA
Complete
VA
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
t
DS
10h for
chip erase
V
IH
V
IL
t
AVDP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29NS128N0SBJW000 | Simultaneous Read/Write, Multiplexed, Burst Mode Flash Memory |
| S29NS128N0SBJW002 | Simultaneous Read/Write, Multiplexed, Burst Mode Flash Memory |
| S29NS128N0SBJW003 | Simultaneous Read/Write, Multiplexed, Burst Mode Flash Memory |
| S29NS256N0PBJW000 | Simultaneous Read/Write, Multiplexed, Burst Mode Flash Memory |
| S29NS256N0PBJW002 | Simultaneous Read/Write, Multiplexed, Burst Mode Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29NS128N0SBJW000 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Simultaneous Read/Write, Multiplexed, Burst Mode Flash Memory |
| S29NS128N0SBJW002 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Simultaneous Read/Write, Multiplexed, Burst Mode Flash Memory |
| S29NS128N0SBJW003 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Simultaneous Read/Write, Multiplexed, Burst Mode Flash Memory |
| S29NS128P | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:MirrorBit Flash Family |
| S29NS128P0PBJW000 | 功能描述:閃存 128M (8MX16) 66MHz Simultaneous R/W RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。