參數(shù)資料
型號: S29JL032H60TFI220
廠商: SPANSION LLC
元件分類: DRAM
英文描述: 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
中文描述: 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48
封裝: MO-142DD, LEAD FREE, TSOP-48
文件頁數(shù): 6/66頁
文件大?。?/td> 1556K
代理商: S29JL032H60TFI220
6
S29JL032H
S29JL032HA11 2005
3
9
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
わずか
6
種類の機(jī)能のいずれかを呼び出すだけで,フラッシュメモリへアクセスできるよ
うになります。
本デバイスは,
JEDEC 42.4
ています。
コマンドは,標(biāo)準(zhǔn)的なマイクロプロセッサのライトタイミングでコマンドレジ
スタに書込まれます。データのリードは,一般のフラッシュメモリや
EPROM
からのリー
ドと同様です。
単一電源フラッシュコマンドセット規(guī)格と完全互換性を持っ
ホストシステムは,
RY / BY#
端子,
DQ7
Data#
ポーリング),
DQ6 / DQ2
(トグル
ビット)といった本デバイスの
ステータスビット
を調(diào)べることにより,プログラムまたは
イレーズ動作が完了したかを検出することができます。プログラムまたはイレーズサイク
ルが完了すると,デバイスは自動的にリードモードに戻ります。
セクタイレーズアーキテクチャ
により,他のセクタに保持されているデータ內(nèi)容を変更す
ることなく,メモリセクタをイレーズし,再プログラミングすることができます。工場出
荷時(shí)には,すべてのセクタが消去されています。
ハードウェアデータのプロテクト
手段として,電圧変動時(shí)のライト動作を自動的に禁止す
る低電圧
V
CC
検出回路を用意しています。
ハードウェアセクタプロテクト
機(jī)能は,メモリ
內(nèi)の任意のセクタの組合せに対して,プログラムとイレーズ動作を禁止することができま
す。この機(jī)能は,システム內(nèi)だけでなく,プログラミング裝置からも実行できます。
2
種類の省電力機(jī)能を搭載しています。あらかじめ設(shè)定した時(shí)間にわたってアドレスが変
更されない場合,デバイスは
オートマチックスリープモード
に入ります。デバイスを
ンバイモード
にすることもできます。両モードにより,消費(fèi)電力が著しく軽減されます。
スタ
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PDF描述
S29JL032H70TFI220 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TFI221 CAP, CER, NPO, 220PF, 100V, 5%, .1" L.S.
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S29JL032H60TFI222 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
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