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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29JL032H60TFI213 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, LEAD FREE, TSOP-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1556K |
| 代理商： | S29JL032H60TFI213 |
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2005
年
3
月
9
日
S29JL032HA11
S29JL032H
13
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
デバイス
バス動(dòng)作
このセクションでは，デバイス
バスの動(dòng)作條件および使用方法について説明します。デバ
イス
バス動(dòng)作は，內(nèi)部コマンドレジスタにより開(kāi)始します。コマンドレジスタ自身は，ア
ドレス可能なメモリロケーションを占有しません。このレジスタは，コマンドならびにコ
マンドの実行に必要なアドレスやデータ情報(bào)を格納するためのラッチとなります。レジス
タの內(nèi)容は，內(nèi)部のステートマシンへの入力となります。ステートマシンからの出力によ
り，デバイスの機(jī)能が制御されます。表
1
にデバイス
バス動(dòng)作と各入力條件，制御レベ
ル，ならびに出力をまとめてあります。それぞれの動(dòng)作についてはこの後，詳しく説明し
ます。
表
1. S29JL032H
デバイス
バス動(dòng)作
凡例：
L =
論理
Low = V
IL
，
H =
論理
High = V
IH
，
V
ID
= 11.5–12.5 V
，
V
HH
= 9.0
±
0.5V
，
X =
任意，
SA =
セクタアドレス，
A
IN
=
アドレス入力，
D
IN
=
データ入力，
D
OUT
=
データ出力
注：
1.
アドレスは，ワードモード時(shí)
A20
：
A0
（
BYTE# = V
IH
），バイトモード時(shí)
A20
：
A-1
（
BYTE# = V
IL
）となります。
2.
セクタプロテクト機(jī)能，およびセクタプロテクト解除機(jī)能は，プログラミング裝置からも実行できます。
「セクタ
/
セク
タブロック
プロテクト設(shè)定
/
プロテクト解除」
のセクションを參照してください。
3. WP# / ACC = V
IL
印加時(shí)，一番外側(cè)のブートセクタはプロテクトされたままになります。
WP# / ACC = V
IH
を印加すると，一
番外側(cè)のブートセクタ
2
個(gè)のプロテクト狀態(tài)は，セクタ
/
セクタブロック
プロテクト設(shè)定
/
プロテクト解除」で説明している方
法により設(shè)定された直前の狀態(tài)（プロテクトまたはプロテクト解除）に従います。
WP# / ACC = V
HH
を印加すると，セクタは
すべてプロテクト解除されます。
動(dòng)作
CE#
OE#
WE# RESET#
WP#/ACC
（注
1
アドレス
）
DQ15
～
DQ8
DQ7
～
DQ0
BYTE# =
V
IH
BYTE# = V
IL
リード
L
L
H
H
L/H
A
IN
D
OUT
DQ14–DQ8 = High-
Z, DQ15 = A-1
D
OUT
ライト
L
H
L
H
（注
3
）
A
IN
D
IN
D
IN
スタンバイ
V
CC
±
0.3 V
X
X
V
CC
±
0.3 V
L/H
X
High-Z
High-Z
High-Z
出力ディセーブル
L
H
H
H
L/H
X
High-Z
High-Z
High-Z
リセット
X
X
X
L
L/H
X
High-Z
High-Z
High-Z
セクタプロテクト
（注
2
）
L
H
L
V
ID
L/H
SA, A6 = L,
A1 = H, A0 = L
X
X
D
IN
セクタプロテクト
解除（注
2
）
L
H
L
V
ID
（注
3
）
SA, A6 = H,
A1 = H, A0 = L
X
X
D
IN
一時(shí)的セクタプロ
テクト解除
X
X
X
V
ID
（注
3
）
A
IN
D
IN
High-Z
D
IN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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