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參數(shù)資料
| 型號： | S29JL032H60TAI323 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 64/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 1556K |
| 代理商： | S29JL032H60TAI323 |
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64
S29JL032H
S29JL032HA11 2005
年
3
月
9
日
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
イレーズ
/
プログラミング性能
注
:
1.
プログラム
/
イレーズ時間の標準値は下記の條件を想定したものです。
25
°
C
，
V
CC
= 3.0 V
；
100,000
回，チェッカーボードデータパ
ターン
2.
最悪條件（
90
°
C
，
V
CC
= 2.7 V
，
1,000,000
回）の場合。
3.
ほとんどのバイトプログラムは上記の最大プログラム時間よりも速いため，チッププログラミング時間の標準値は，上記の最大チッププ
ログラミング時間よりもかなり短くなります。
4.
自動イレーズアルゴリズムのプリプログラミングでは，消去前にすべてのバイトが「
00h
」にプログラムされます。
5.
システムレベルのオーバーヘッドとは，プログラムコマンドのバスサイクルシーケンス（
2
回または
4
回）を?qū)g行するのに要する時間を
いいます。コマンドの定義については，表
13
を參照してください。
6.
デバイスの最小サイクル許容値は，セクタ當たり
100,000
回となっています。
TSOP
端子容量
注
:
1.
抽出したサンプル。
2.
測定條件：
T
A
= 25
°C
，
f = 1.0 MHz
パラメータ
標準値（注
1
0.4
最大値（注
2
2
）
単位
s
備考
）
セクタイレーズ時間
消去前の「
00h
」プログラミングを
除く（注
4
）
チップイレーズ時間
28
s
バイトプログラム時間
4
80
μs
システムレベルのオーバーヘッドを
除く（注
5
）
ワードプログラム時間
6
100
μs
アクセラレーションバイト
/
ワードプログラム時間
4
70
μs
チッププログラム時間
（注
3
）
バイトモード
12.6
50
s
ワードモード
12
35
アクセラレーションモード
10
30
パラメータシンボル
パラメータの説明
測定條件
標準値
最大値
単位
C
IN
C
OUT
C
IN2
入力端子容量
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
TSOP
6
7.5
pF
出力端子容量
TSOP
8.5
12
pF
制御端子容量
TSOP
7.5
9
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TAI410 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI411 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI412 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI413 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI420 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TAI410 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI411 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI412 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI413 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI420 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
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