- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365396 > S29GL256N10TFI012 (SPANSION LLC) 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S29GL256N10TFI012 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 86/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL256N10TFI012 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁當(dāng)前第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁
84
S29GL-N MirrorBit Flash Family
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
D a t a S h e e t
AC Characteristics
OE#
CE#
WE#
Addresses
t
OEH
t
DH
t
AHT
t
ASO
t
OEPH
t
OE
Valid Data
(first read)
(second read)
(stops toggling)
t
CEPH
t
AHT
t
AS
DQ2 and DQ6
Valid Data
Valid
Status
Valid
Status
Valid
Status
RY/BY#
Note:
VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command
sequence, last status read cycle, and array data read cycle
Figure 18. Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
Note:
DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The system may use OE#
or CE# to toggle DQ2 and DQ6.
Figure 19. DQ2 vs. DQ6
Enter
Embedded
Erasing
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL256N10TFI022 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL256N10TFIV12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128P13TFI022 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL01GP11TFIV10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL01GP11TFIV12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL256N11FAI010 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL256N11FAIIH2 | 制造商:Spansion 功能描述:S29GL256N11FAIIH2 - Trays |
| S29GL256N11FFA022 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL256N11FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL256N11FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256Mbit 32M/16M x 8bit/16bit 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。