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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128N90FFIV12 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有110納米MirrorBit⑩工藝技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 84/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N90FFIV12 |
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82
S29GL-N MirrorBit Flash Family
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
D a t a S h e e t
AC Characteristics
OE#
CE#
Addresses
V
CC
WE#
Data
2AAh
SA
t
AH
t
WP
t
WC
t
AS
t
WPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
t
DS
t
VCS
t
CS
t
DH
55h
t
CH
In
Progress
Complete
t
WHWH2
VA
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
RY/BY#
t
RB
t
BUSY
Notes:
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see
Write Operation Status on
page 67
).
2. These waveforms are for the word mode.
Figure 16. Chip/Sector Erase Operation Timings
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128N90FFIV13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N90FFIV20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N90FFIV22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N90FFIV23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N90TAI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128N90TAIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL128N90TAIR20 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N90TFAR23 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N90TFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 90ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N90TFIR20 | 制造商:Spansion 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 90NS 56TSOP - Trays 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash, 8M x 16, 56 Pin, Plastic, TSSOP |
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