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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128N10TFIV23 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56 |
| 封裝： | MO-142BEC, LEAD FREE, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 77/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N10TFIV23 |
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S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
S29GL-N MirrorBit Flash Family
75
D a t a S h e e t
Test Conditions
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Figure 9. Test Setup
Table 17. Test Specifications
Note:
If V
IO
< V
CC
, the reference level is 0.5 V
IO
.
Test Condition
All Speeds
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–V
IO
V
Input timing measurement reference levels (See
Note)
0.5V
IO
V
Output timing measurement reference levels
0.5 V
IO
V
2.7 k
Ω
C
L
6.2 k
Ω
3.3 V
Device
Under
Test
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128N11FFIV22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11FFIV23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11TAI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11TAI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11TAI013 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128N11FAI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL128N11FAI023 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA T/R |
| S29GL128N11FAIS30 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N11FFA010 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N11FFA013 | 制造商:Spansion 功能描述: |
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