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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128N10TFIV12 |
| 廠(chǎng)商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁(yè)面模式閃存具有110納米MirrorBit⑩工藝技術(shù) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 72/100頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N10TFIV12 |
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70
S29GL-N MirrorBit Flash Family
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
D a t a S h e e t
Figure 6. Toggle Bit Algorithm
START
No
Yes
Yes
DQ5 = 1
No
Yes
Toggle Bit
= Toggle
No
Program/Erase
Operation Not
Complete, Write
Reset Command
Program/Erase
Operation Complete
Read DQ7–DQ0
Toggle Bit
= Toggle
Read DQ7–DQ0
Twice
Read DQ7–DQ0
Note:
The system should recheck the toggle bit even if DQ5 =
1
because the toggle bit may stop toggling as DQ5 changes to
1
. See the subsections on DQ6 and DQ2 for more
information.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128N10TFIV13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10TFIV20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10TFIV22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10TFIV23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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