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參數資料
| 型號： | S29GL128N10FFI013 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁數： | 81/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N10FFI013 |
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S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
S29GL-N MirrorBit Flash Family
79
D a t a S h e e t
AC Characteristics
Hardware Reset (RESET#)
Notes:
1.
Not 100% tested. If ramp rate is equal to or faster than 1V/100μs with a falling edge of the RESET# pin initiated, the RESET# pin needs to
be held low only for 100μs for power-up.
Next generation devices may have different reset speeds. To increase system design considerations, please refer to the “Advance
Information on S29GL-P Hardware Reset (RESET#) and Power-up Sequence” section for advance reset speeds on S29GL-P devices.
2.
Parameter
Description
Speed
(Note 2)
Unit
JEDEC
Std.
t
Ready
RESET# Pin Low (During Embedded Algorithms)
to Read Mode
(Note 1)
Max
20
ns
t
Ready
RESET# Pin Low (NOT During Embedded
Algorithms) to Read Mode
(Note 1)
Max
500
ns
t
RP
RESET# Pulse Width
Min
500
ns
t
RH
Reset High Time Before Read
(Note 1)
Min
50
ns
t
RPD
RESET# Low to Standby Mode
Min
20
μs
t
RB
RY/BY# Recovery Time
Min
0
ns
RESET#
RY/BY#
RY/BY#
t
RP
t
Ready
Reset Timings NOT during Embedded Algorithms
t
Ready
CE#, OE#
t
RH
CE#, OE#
Reset Timings during Embedded Algorithms
RESET#
t
RP
t
RB
t
RH
Figure 13. Reset Timings
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128N10FFI020 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10FFI022 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10FFI023 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10FFIV10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N10FFIV12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| S29GL128N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N10TF101 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術:FLASH - NOR 存儲容量:128Mb （16M x 8，8M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:100ns 訪問時間:100ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商器件封裝:56-TSOP 標準包裝:91 |
| S29GL128N10TFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:S29GL128N10TFI020 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N11FAI020 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
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