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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL064N11BAI040 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 64兆，32兆位3.0伏只頁面模式閃存具有110納米MirrorBit工藝技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 64/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 2191K |
| 代理商： | S29GL064N11BAI040 |
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64
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
S29GL-N_01_09 November 16, 2007
D a t a
S h e e t
15. AC Characteristics
Notes
1. Not 100% tested.
2. See
Figure 14.1 on page 63
and
Table 14.1 on page 63
for test specifications.
Figure 15.1
V
CC
Power-up Diagram
Table 15.1
Read-Only Operations
Parameter
Description
Test Setup
Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
90
110
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
RC
t
ACC
t
CE
Read Cycle Time
(Note 1)
Min
90
110
ns
Address to Output Delay
CE#, OE# = V
IL
OE# = V
IL
V
IO
= V
CC
= 3 V
V
IO
= 1.8 V, V
CC
= 3 V
V
IO
= V
CC
= 3 V
V
IO
= 1.8 V, V
CC
= 3 V
Max
90
110
ns
Chip Enable to Output Delay
Max
90
110
ns
t
PACC
Page Access Time
Max
25
25
ns
—
30
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
Max
25
25
ns
—
30
t
EHQZ
t
GHQZ
t
DF
t
DF
Chip Enable to Output High Z
(Note 1)
Max
20
ns
Output Enable to Output High Z
(Note 1)
Max
20
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses, CE# or OE#,
Whichever Occurs First
Min
0
ns
t
OEH
Output Enable Hold
Time
(Note 1)
Read
Min
0
ns
Toggle and
Data# Polling
Min
10
ns
V
CC
RE
S
ET#
t
VC
S
CE#
V
CC
min
V
IH
t
RH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| S29GL064N11FFIV10 | 功能描述:閃存 64Mb 3V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL064N11FFIV20 | 制造商:Spansion 功能描述: |
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