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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL032M10BFIR62 |
| 文件頁數(shù)： | 103/110頁 |
| 文件大小： | 4891K |
| 代理商： | S29GL032M10BFIR62 |
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90
S29GL-M MirrorBitTM Flash Family
S29GL-M_00_B5 December 13, 2005
Data
Sheet
Erase and Programming Performance
Notes:
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, VCC = 3.0V, 10,000
cycles; checkerboard data pattern.
2. Under worst case conditions of 90
°C; Worst case VCC, 100,000 cycles.
3. Effective programming time (typ) is 15 μs (per word), 7.5 μs (per byte).
4. Effective accelerated programming time (typ) is 12.5 μs (per word), 6.3 μs (per byte).
5. Effective write buffer specification is calculated on a per-word/per-byte basis for a 16-word/32-
byte write buffer operation.
6. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bits are programmed to 00h
before erasure.
7. System-level overhead is the time required to execute the command sequence(s) for the program
Parameter
(Notes)
Typ
Max
Unit
Comments
Sector Erase Time
0.5
3.5
sec
Excludes 00h
programming
prior to erasure
Chip Erase Time
S29GL032M
32
64
sec
S29GL064M
64
128
S29GL128M
128
256
S29GL256M
256
512
240
s
Excludes
system level
overhead
Total Accelerated Effective Write Buffer Program Time
200
s
Chip Program Time
S29GL032M
31.5
sec
S29GL064M
63
S29GL128M
126
S29GL256M
252
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PDF描述 |
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