- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365398 > S29GL01GP12TAIV10 (SPANSION LLC) 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL01GP12TAIV10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 1G X 1 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 20 X 14 MM, MO-142EC, TSOP-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 59/71頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 990K |
| 代理商： | S29GL01GP12TAIV10 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)當(dāng)前第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)
November21,2006 S29GL-P_00_A3
S29GL-P MirrorBit
TM
Flash Family
57
D a t a
S h e e t
( A d v a n c e
I n f o r m a t i o n )
Figure 11.13
Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
Note
A = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data read cycle
Figure 11.14
DQ2 vs. DQ6
Note
DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The system can use OE# or CE# to toggle DQ2 and DQ6.
OE#
CE#
WE#
Addresses
t
OEH
t
DH
t
AHT
t
ASO
t
OEPH
t
OE
Valid Data
(first read)
(second read)
(stops toggling)
t
CEPH
t
AHT
t
AS
DQ2 and DQ6
Valid Data
Valid
Status
Valid
Status
Valid
Status
RY/BY#
Enter
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Embedded
Erasing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL01GP12TAIV12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL01GP12TAIV13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL01GP12TFI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL01GP12TFI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL01GP12TFI013 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL01GP12TAIV12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL01GP12TAIV13 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL01GP12TFI010 | 功能描述:閃存 1Gb 3V 120ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL01GP12TFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:IC SM FLASH 3V 1GB 120NS 制造商:Spansion 功能描述:IC, SM FLASH 3V 1GB 120NS |
| S29GL01GP12TFI010-AU | 制造商:Spansion 功能描述:IC 1GIG 3.0V FLASH MEMORY GOLD/CISCO - Trays |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。