參數(shù)資料
型號(hào)： S1Y
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 1600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-215AA
封裝： SMBG, 2 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 118K
代理商： S1Y
G
H
J
E
F
A
B
D
C
Cathode Band
21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax:
(818) 701-4939
S1Q
Thru
S1ZZ
1 Amp
Silicon Rectifier
1200 to 2000 Volts
DO-215AA
(SMBG)
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.075
.095
1.90
2.42
B
.081
.087
2.06
2.21
C
.004
.008
.10
.20
D
---
.02
---
.51
E
.015
.03
.38
.76
F
.065
.084
1.65
2.13
G
.235
.255
5.97
6.48
H
.160
.180
4.06
4.57
J
.130
.155
3.30
3.94
Features
For Surface Mount Applications
Extremely Low Thermal Resistance
High Temp Soldering: 250
°C for 10 Seconds At Terminals
Gull Wing Lead Bend To Prevent Arcing
Perfect For High Voltage Applications
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65
°C to +175°C
Storage Temperature: -65
°C to +175°C
Maximum Thermal Resistance; 15
°C/W Junction To Lead
Microsemi
Part
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
S1Q
1200V
840V
1200V
S1V
1400V
980V
1400V
S1Y
1600V
1120V
1600V
S1Z
1800V
1260V
1800V
S1ZZ
2000V
1400V
2000V
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
1.0A
TJ = 75°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
30A
8.3ms, half sine
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
VF
1.1V
IFM = 1.0A;
TJ = 25°C*
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
10
A
50
A
TJ = 25°C
TJ = 125°C
Typical Junction
Capacitance
CJ
15pF
Measured at
1.0MHz, VR=4.0V
*Pulse test: Pulse width 200
sec, Duty cycle 2%
0.075”
0.175
0.095
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PDF描述
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