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參數(shù)資料
| 型號： | S1WBA60-SMD-4072 |
| 元件分類： | 橋式整流 |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | SURFACE MOUNT PACKAGE-4 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | S1WBA60-SMD-4072 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S1ZB20-SMD-4072 | 0.8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S1ZB20-SMD4062R | 0.8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S1WBA80Z-4072 | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| S1Y-TP | 1 A, 1600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA |
| S1Q-TP | 1 A, 1200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S1WBA80 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
| S1WBA80-4062 | 功能描述:橋式整流器 VRM=80 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| S1WBA80-4072 | 功能描述:橋式整流器 VRM=80 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| S1WBA80-4101 | 功能描述:橋式整流器 VRM=80 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
| S1WBA80-4102 | 功能描述:橋式整流器 VRM=80 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
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