參數(shù)資料
型號： S1PD-HE3
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, SMP, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 325K
代理商： S1PD-HE3
S1PB thru S1PJ
Document Number 88917
10-Nov-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
Instantaneous Forward Voltage (V)
0.1
10
1
100
Instantaneo
u
s
For
w
ard
C
u
rrent
(A)
0.01
1.8
2.0
1.0
1.6
TJ = 150
°C
TJ = 25
°C
TJ = 125
°C
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
20
40
60
80
100
0.1
1
10
100
10
30
50
70
90
0.01
TJ = 25
°C
TJ = 125
°C
TJ = 150
°C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.1
1
10
100
1
100
1000
0.01
1
10
100
1
10
100
t, Pulse Duration (sec.)
T
ransient
Thermal
Impedance
(°
C/
W
)
0.1
1000
0.000 (0.00)
0.012 (0.30)
0.013 (0.35)
0.004 (0.10)
0.018 (0.45)
0.006 (0.15)
0.045 (1.15)
0.033 (0.85)
0.036 (0.91)
0.024 (0.61)
0.016 (0.40)
0.032 (0.80)
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.012 (0.30) REF
0.105
(2.67)
0.025
(0.635)
0.100
(2.54)
0.030
(0.762)
0.050
(1.27)
Cathode band
0.142 (3.61)
0.126 (3.19)
0.158 (4.00)
0.146 (3.70)
0.086 (2.18)
0.074 (1.88)
0.087 (2.20)
0.103 (2.60)
DO-220AA (SMP)
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PDF描述
S1PJ-HE3/85A 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA
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S1PB-HE3/85A 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA
S1PG-HE3/85A 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA
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參數(shù)描述
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S1PD-M3/84A 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 200volt 1.0amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
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