- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄40037 > S1PD-E3 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S1PD-E3 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, SMP, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 325K |
| 代理商： | S1PD-E3 |
S1PB thru S1PJ
Document Number 88917
10-Nov-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
Instantaneous Forward Voltage (V)
0.1
10
1
100
Instantaneo
u
s
For
w
ard
C
u
rrent
(A)
0.01
1.8
2.0
1.0
1.6
TJ = 150
°C
TJ = 25
°C
TJ = 125
°C
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
20
40
60
80
100
0.1
1
10
100
10
30
50
70
90
0.01
TJ = 25
°C
TJ = 125
°C
TJ = 150
°C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.1
1
10
100
1
100
1000
0.01
1
10
100
1
10
100
t, Pulse Duration (sec.)
T
ransient
Thermal
Impedance
(°
C/
W
)
0.1
1000
0.000 (0.00)
0.012 (0.30)
0.013 (0.35)
0.004 (0.10)
0.018 (0.45)
0.006 (0.15)
0.045 (1.15)
0.033 (0.85)
0.036 (0.91)
0.024 (0.61)
0.016 (0.40)
0.032 (0.80)
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.012 (0.30) REF
0.105
(2.67)
0.025
(0.635)
0.100
(2.54)
0.030
(0.762)
0.050
(1.27)
Cathode band
0.142 (3.61)
0.126 (3.19)
0.158 (4.00)
0.146 (3.70)
0.086 (2.18)
0.074 (1.88)
0.087 (2.20)
0.103 (2.60)
DO-220AA (SMP)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S1PG-E3 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
| S1PG-HE3 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
| S1PJ-HE3 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
| S1PD-HE3 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
| S1PJ-HE3/85A | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S1PD-E3/84A | 功能描述:整流器 1.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| S1PD-E3/85A | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| S1PDHE3/84A | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| S1PDHE3/85A | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| S1PDHM3/84A | 功能描述:整流器 200volt 1.0amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。