參數(shù)資料
型號: S1NK60Z
廠商: 意法半導體
英文描述: N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
中文描述: N溝道600V的- 13W - 0.25A -蘇- 8齊納保護SuperMESH⑩功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大小: 306K
代理商: S1NK60Z
STS1NK60Z
6/8
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關PDF資料
PDF描述
S2514BH SCR
S2514DH SCR
S2514MH SCR
S2514NH SCR
S2516BH SCR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
S1P2655A01 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:LINEAR INTEGRATED CIRCUIT
S1P2655A02 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:LINEAR INTEGRATED CIRCUIT
S1P2655A03 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:LINEAR INTEGRATED CIRCUIT
S1P2655A04 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:LINEAR INTEGRATED CIRCUIT
S1P2655A05 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:LINEAR INTEGRATED CIRCUIT