參數(shù)資料
型號(hào)： S1NB80
元件分類： 橋式整流
英文描述： 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封裝： 1N, SMD, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 296K
代理商： S1NB80
21
J534
S1NB
CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Small D
IP Bridge
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S1ZAS6-4102 0.72 A, 65 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
S20WB204003L15 4.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
S20WB604003L7.5 4.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
S20WB60 4.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
S25A100FRA 15 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S1NB80-4062 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
S1NB80-4101 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
S1NB80-4102 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
S1NB80-7062 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
S1NB80-7101 功能描述:橋式整流器 VRM=800 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
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