參數(shù)資料
型號： S1NB40
元件分類： 橋式整流
英文描述： 1 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, MDI, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： S1NB40
RATING& CHARACTERISTIC CURVES FOR SERIES S1NB05- S1NB100
Data Sheet No. BRDI-101-2C
FIGURE 1. FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Ambient Temperature, C
o
1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS
3.1 01s1nb
FIGURE 2. MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
Number of Cycles at 60 Hz
1
10
100
50
60
20
30
40
10
0
NOTE 2
NOTE 1
E4
60Hz Resistive or Inductive Loads
FIGURE 3. TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC PER DIODE
Instantaneous Forward Voltage (Volts)
0.01
0.1
1.0
10
NOTE 3
Tel.: (310) 767-1052
Fax: (310) 767-7958
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
Gardena, CA 90248
U.S.A
18020 Hobart Blvd., Unit B
NOTES
(1) Mounted on PC Board With 0.5" Sq. (13 mm Sq.) Solder Pads
(3) T = 25 C; Pulse Width= 300 Sec, 1% Duty Cycle
(4) T = 25 C;f=1 MHz; Vsig= 50mVp-p
J
o
(2) T = 150 C
J
o
5
10
FIGURE 5. TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE PER DIODE
Reverse Voltage, (Volts)
10
100
1
100
NOTE 4
FIGURE 4. TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
Percent of Rated Peak Reverse Voltage
.01
0.1
1.0
10
100
120
140
20
60
80
T = 125 C
A
o
T = 25 C
J
o
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S1NB60 1 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
S1PB 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA
S1PD-E3 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA
S1PG-E3 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA
S1PG-HE3 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA
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參數(shù)描述
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S1NB60-4102 功能描述:橋式整流器 VRM=600 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
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