型號: | S1NB20-4101 |
元件分類: | 橋式整流 |
英文描述: | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
封裝: | DIP-4 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 24K |
代理商: | S1NB20-4101 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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S1NB80 | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S1ZAS6-4102 | 0.72 A, 65 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
S20WB204003L15 | 4.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S20WB604003L7.5 | 4.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
S20WB60 | 4.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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S1NB20-4102 | 功能描述:橋式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S1NB20-7062 | 功能描述:橋式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S1NB20-7101 | 功能描述:橋式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S1NB20-7102 | 功能描述:橋式整流器 VRM=200 IFSM=30 RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S1NB40 | 制造商:DEC 制造商全稱:DEC 功能描述:1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS |