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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S16400NH |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | The S16xxxH series of SCRs uses a high performance MESA GLASS PNPN technology. |
| 中文描述： | 在可控硅S16xxxH系列采用高性能的梅薩玻璃PNPN技術(shù)。 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | S16400NH |
P
G (AV)
= 1W P
GM
=10 W (tp = 20
μ
s)
I
GM
= 4A (tp = 20
μ
s)
GATE CHARACTERISTICS
(maximumvalues)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-a)
Junctionto ambient
60
°
C/W
Rth(j-c)
Junctionto case for DC
2.2
°
C/W
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Test Conditions
Sensitivity
Unit
10
16
I
GT
V
D
=12V (DC) R
L
=33
Tj= 25
°
C
MIN
10
20
mA
MAX
25
50
V
GT
V
D
=12V (DC) R
L
=33
Tj= 25
°
C
MAX
1.5
V
V
GD
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
Tj= 125
°
C
MIN
0.2
V
tgt
V
D
=V
DRM
dI
G
/dt = 0.8A/
μ
s
I
TM
= 3 x I
T(AV
)
I
G
= 90mA
Tj= 25
°
C
TYP
2
μ
s
I
H
I
T
= 250mA Gate open
Tj= 25
°
C
MAX
50
100
mA
I
L
I
G
=1.2 I
GT
Tj= 25
°
C
MAX
100
200
mA
V
TM
I
TM
= 32A tp= 380
μ
s
Tj= 25
°
C
MAX
1.6
V
I
DRM
I
RRM
V
D
=V
DRM
V
R
=V
RRM
Tj= 25
°
C
MAX
10
μ
A
Tj= 110
°
C
MAX
2
mA
dV/dt
V
D
=67%V
DRM
Gateopen
Tj= 110
°
C
MIN
400
500
V/
μ
s
tq
I
TM
= 3 x I
T(AV
) V
R
=35V
dI/dt=25A/
μ
s
dV/dt=25V/
μ
s
V
D
= 67%V
DRM
tp=100
μ
s
Tj= 110
°
C
MAX
100
μ
s
ELECTRICALCHARACTERISTICS
ORDERING INFORMATION
S
16
16
M
H
SCR MESAGLASS
CURRENT
PACKAGE:
H =TO220 Non-insulated
VOLTAGE
SENSITIVITY
S16xxxH
2/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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