型號: | S15VTA80 |
元件分類: | 橋式整流 |
英文描述: | 3 PHASE, 15 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
封裝: | SVTA, 5 PIN |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 417K |
代理商: | S15VTA80 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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S16-4150E3 | 0.4 A, 8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
S16-4150E3TR | 0.4 A, 8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
S16C05-8-G | 300 W, BIDIRECTIONAL, 16 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
S16L60 | 16 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
S16LCC03-8-G | 300 W, BIDIRECTIONAL, 8 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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S15VTA80-5000 | 功能描述:橋式整流器 Bridge Diode RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S15WB20 | 功能描述:橋式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S15WB20-4000 | 功能描述:橋式整流器 VRM=200 IFSM=200 RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S15WB20-5000 | 功能描述:橋式整流器 VRM=200 IFSM=200 RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |
S15WB20-7000 | 功能描述:橋式整流器 VRM=200 IFSM=200 RoHS:否 制造商:Vishay 產品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube |