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參數(shù)資料
| 型號： | S1227-66BR |
| 廠商： | Hamamatsu Photonics |
| 英文描述： | Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity |
| 中文描述： | 硅光電二極管對紫外可見，精密光度法;抑制紅外靈敏度 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | S1227-66BR |
Si photodiode
S1227 series
0.1
0
190
P
400
600
800
1000
WAVELENGTH (nm)
0.3
0.2
(Typ. Ta=25 C)
0.4
0.5
0.6
0.7
S1227-BR
S1227-BQ
S1227-BQ
S1227-BR
I
Spectral response
I
Photo sensitivity temperature characteristic
KSPDB0094EA
T
C
WAVELENGTH (nm)
(Typ. )
0
190
400
600
800
1000
+1.0
+0.5
+1.5
-0.5
KSPDB0030EB
R
LOAD RESISTANCE (
)
(Typ. Ta
=
25
C, V
R
=
0 V)
10
2
10 ns
10
3
10
4
10
5
S1227-16BQ/BR, -33BQ/BR
S1227-1010BQ/BR
S1227-66BQ/BR
100 ns
1
μ
s
10
μ
s
100
μ
s
1 ms
KSPDB0095EA
D
REVERSE VOLTAGE (V)
(Typ. Ta
=
25
C)
0.01
100 fA
0.1
1
10
1 pA
10 pA
100 pA
1 nA
S1227-66BQ/BR
S1227-16BQ/BR
S1227-33BQ/BR
S1227-1010BQ/BR
KSPDB0096EB
S
AMBIENT TEMPERATURE (
C)
(Typ. V
R
=
10 mV)
-20
0
20
40
60
80
10 k
100 k
1 M
10 M
100 M
1 G
10 G
100 G
1 T
S1227-33BQ/BR
S1227-16BQ/BR
S1227-66BQ/BR
S1227-1010BQ/BR
I
Shunt resistance vs. ambient temperature
KSPDB0097EA
I
Rise time vs. load resistance
I
Dark current vs. reverse voltage
2
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PDF描述 |
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