STF7N52DK3

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功能描述
MOSFET N-Ch 525V 0.95 Ohm 6A SuperFREDmesh3
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STF7N52DK3 技術(shù)參數(shù)

STF7N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1050V（1.05kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF7LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.15 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF715 功能描述:TRANS NPN 80V 1.5A SOT89 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.4W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STF6N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.25 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:450pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF6N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 3A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 封裝/外殼:TO-220-3 整包標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF80N10F7 STF817A STF826 STF8N60DM2 STF8N65M5 STF8N80K5 STF8N90K5 STF8NK100Z STF8NK85Z STF8NM50N STF8NM60N STF8NM60ND STF9HN65M2 STF9N60M2 STF9N65M2 STF9N80K5 STF9NK60ZD STF9NK80Z