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STFI11NM65N

STFI11NM65N
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
I2PAKFP（TO-281）
18+
-
MOSFET N CH 650V 11A...

STFI11NM65N TK11A65
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
TOSHIBA/東芝
TO-220F
22+
-
十年配單，只做原裝

STFI11NM65N
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3526
ST
I2PAKFP （281）
14+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存，400-800-03...

STFI11NM65N
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
ST
TO-220F
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

STFI11NM65N
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
22837
ST/意法
I2PAKFP
22+
-

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1

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制造商
STMicroelectronics
功能描述
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube
制造商
STMicroelectronics
功能描述
POWER MOSFET - Rail/Tube
制造商
STMicroelectronics
功能描述
MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
制造商
STMicroelectronics
功能描述
N-Ch 650 V 0.425 Ohm 11 A MDmesh(TM) V

STFI11NM65N 技術(shù)參數(shù)

STFI11N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:410pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFI10NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1370pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFI10N65K3 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 3.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1180pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFI10N62K3 功能描述:MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STFH24N60M2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.168 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)包裝:46 STFI15N60M2-EP STFI15N65M5 STFI15N95K5 STFI15NM65N STFI20N65M5 STFI20NK50Z STFI20NM65N STFI24N60M2 STFI24NM60N STFI260N6F6 STFI26N60M2 STFI26NM60N STFI28N60M2 STFI31N65M5 STFI34N65M5 STFI34NM60N STFI40N60M2 STFI4N62K3