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STL-1-450-3-01

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  • STL-1-450-3-01
    STL-1-450-3-01

    STL-1-450-3-01

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Essentra Components

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
STL-1-450-3-01 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TWIST LOK STANDOFF 3/16 X 1.09"
  • RoHS
  • 類別
  • 線纜,導線 - 管理 >> 線夾和夾具
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 100
  • 系列
  • TC
  • 類型
  • C-夾
  • 開口尺寸
  • 0.79" L x 0.54" W x 0.67" H(20.1mm x 13.7mm x 17.0mm)
  • 安裝類型
  • 釘子
  • 材質
  • 聚丙烯
  • 顏色
STL-1-450-3-01 技術參數
  • STL140N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 145A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):145A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2700pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL140N4LLF5 功能描述:MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):140A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.75 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5900pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL140N4F7AG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態(tài):新產品 標準包裝:1 STL13NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):385 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):790pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標準包裝:1 STL13N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):475 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):590pF @ 100V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL160N3LLH6 STL160N4F7 STL160NS3LLH7 STL16N1VH5 STL16N60M2 STL16N65M2 STL16N65M5 STL-1-750-3-01 STL-1-750-8-01 STL17N3LLH6 STL17N65M5 STL18N55M5 STL18N60M2 STL18N65M2 STL18N65M5 STL18NM60N STL190N4F7AG STL19N60DM2
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