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STL18N60M2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • STL18N60M2
    STL18N60M2

    STL18N60M2

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人：李林

    電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 13740

  • ST

  • QFN

  • 24+

  • -

  • 全新原裝正品現(xiàn)貨特價(jià)

  • STL18N60M2
    STL18N60M2

    STL18N60M2

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • DFN5X6

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • STL18N60M2
    STL18N60M2

    STL18N60M2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STL18N60M2
    STL18N60M2

    STL18N60M2

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 14990

  • STMICROEL

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • STL18N60M2
    STL18N60M2

    STL18N60M2

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 29

  • ST MICROELECTRONICS

  • 價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • 1337

  • -

  • 全新原裝渠道現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
STL18N60M2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? II Plus
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 9A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 308 毫歐 @ 4.5A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 21.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 791pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 57W
  • 工作溫度
  • 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • *
  • 封裝/外殼
  • 4-PowerFlat? HV
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • PowerFlat?（5x6）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STL18N60M2 技術(shù)參數(shù)
  • STL18N55M5 功能描述:MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.4A（Ta），13A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1352pF @ 100V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL17N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.8A（Ta），10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:374 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:816pF @ 100V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL17N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1690pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:299 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 100V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL16N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:395 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:718pF @ 100V 功率 - 最大值:56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL20DNF06LAG STL20N6F7 STL20NF06LAG STL20NM20N STL210N4F7AG STL21N65M5 STL220N3LLH7 STL220N6F7 STL225N6F7AG STL22N65M5 STL23NM50N STL23NM60ND STL23NS3LLH7 STL24N60DM2 STL24N60M2 STL24N65M2 STL24NM60N STL-250-3-01
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