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STH290N4F6-2

STH290N4F6-2
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
D2PAK/TO-263
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

STH290N4F6-2AG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STH290N4F6-2AG
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
10000
ST
DIP/SOP
19+
-
公司全新原裝正品,QQ153058080...

STH290N4F6-2
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
18+
-
MOSFET N-CH 60V H2PA...

STH290N4F6-2AG
深圳市鵬展勝電子有限公司
深圳市鵬展勝電子有限公司
聯(lián)系人：林先生
電話：135-3814-2003
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道佳和大廈A座2801
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
12005
ST(意法)
原裝正品
23/24+
-
只做原裝正品假一賠十現(xiàn)貨

STH290N4F6-2AG
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6007
ST/意法半導(dǎo)體
H2PAK-2
21+
-
原裝正品現(xiàn)貨可開增值稅發(fā)票

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STH290N4F6-2 技術(shù)參數(shù)

STH275N8F7-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應(yīng)商器件封裝:H2PAK-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH275N8F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH270N8F7-6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH270N8F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH270N4F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7400pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH320N4F6-6 STH360N4F6-2 STH3N150-2 STH400N4F6-2 STH400N4F6-6 STH410N4F7-2AG STH410N4F7-6AG STH52N10LF3-2AG STH61B STH61G STH61W STH62B STH62G STH62W STH6N95K5-2 STH71B STH71G STH71W