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STH410N4F7-2AG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STH410N4F7-2AG
    STH410N4F7-2AG

    STH410N4F7-2AG

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 100

  • -

  • STH410N4F7-2AG
    STH410N4F7-2AG

    STH410N4F7-2AG

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：2394575513590206539

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 18200

  • ST

  • TO-263

  • 2022+

  • -

  • 十年芯途，只做原裝，實單可以支持。075...

  • STH410N4F7-2AGY
    STH410N4F7-2AGY

    STH410N4F7-2AGY

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-263

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • STH410N4F7-2AG
    STH410N4F7-2AG

    STH410N4F7-2AG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • H2PAK-2

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • STH410N4F7-2AG
    STH410N4F7-2AG

    STH410N4F7-2AG

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6003

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • H2PAK-2

  • 21+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票

  • STH410N4F7-2AG
    STH410N4F7-2AG

    STH410N4F7-2AG

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
STH410N4F7-2AG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 40V H2PAK-2
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • 汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 200A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 1.1 毫歐 @ 90A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 141nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 11500pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 365W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • H2Pak-2
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STH410N4F7-2AG 技術(shù)參數(shù)
  • STH400N4F6-6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.15 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:404nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH400N4F6-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.15 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:404nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH3N150-2 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 1.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:939pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH360N4F6-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.25 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:17930pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH320N4F6-6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:240nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13800pF @ 15V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STH71B STH71G STH71W STH72B STH72G STH72W STH80N10F7-2 STHAFC36P0701901000 STHAFC36P0701902000 STHDLS101QTR STHDLS101TQTR STHDMI001ATTR STHDMI002ABTR STHS2375AM6F STHS2375LM6F STHS2377AM6F STHS4257A1M6F STHV
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