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STGB6M65DF2

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  • STGB6M65DF2
    STGB6M65DF2

    STGB6M65DF2

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國(guó)上海

  • 355697

  • STMICROELECTRONICS

  • con

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  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

  • STGB6M65DF2
    STGB6M65DF2

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  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 9000

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  • STGB6M65DF2
    STGB6M65DF2

    STGB6M65DF2

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 355697

  • STMICROELECTRONICS

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  • STGB6M65DF2
    STGB6M65DF2

    STGB6M65DF2

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

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  • 原裝正品

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STGB6M65DF2 技術(shù)參數(shù)
  • STGB5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 開(kāi)關(guān)能量:56μJ（開(kāi)），78.5μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:43nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:30ns/140ns 測(cè)試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB4M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 開(kāi)關(guān)能量:40μJ（開(kāi)），136μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:15.2nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/86ns 測(cè)試條件:400V，4A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB40V60F 功能描述:IGBT 600V 80A 283W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開(kāi)關(guān)能量:456μJ（開(kāi)），411μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:226nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:52ns/208ns 測(cè)試條件:400V，40A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB40H65FB 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:HB 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開(kāi)關(guān)能量:498μJ（開(kāi)），363μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:40ns/142ns 測(cè)試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB3NC120HDT4 功能描述:IGBT 1200V 14A 75W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.8V @ 15V，3A 功率 - 最大值:75W 開(kāi)關(guān)能量:236μJ（開(kāi)），290μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:24nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:15ns/118ns 測(cè)試條件:800V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:51ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB8NC60KDT4 STGB8NC60KT4 STGBL6NC60DIT4 STGBL6NC60DT4 STGD10HF60KD STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4 STGD10NC60ST4 STGD1100LT1G STGD14NC60KT4 STGD18N40LZ-1 STGD18N40LZT4 STGD19N40LZ STGD20N40LZ STGD20N45LZAG
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