STGB4M65DF2

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STGB4M65DF2
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
D2PAK
18+
-
IGBT Trench Field St...

STGB4M65DF2
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

STGB4M65DF2
中山市翔美達電子科技有限公司
中山市翔美達電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
10000
ST
DIP/SOP
19+
-
公司全新原裝正品,QQ153058080...

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您是不是要找： STGB5H60DF STGB6M65DF2 STGB6NC60HD-1 STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HT4 STGB7H60DF STGB7NB40LZT4 STGB7NB60HDT4 STGB7NB60KDT4

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功能描述
IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK
制造商
stmicroelectronics
系列
M
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
8A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
16A
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值
68W
開關(guān)能量
40μJ（開），136μJ（關(guān)）
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
15.2nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值
12ns/86ns
測試條件
400V，4A，47 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間（trr）
133ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝
D2PAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

STGB4M65DF2 技術(shù)參數(shù)

STGB40V60F 功能描述:IGBT 600V 80A 283W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關(guān)能量:456μJ（開），411μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:226nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:52ns/208ns 測試條件:400V，40A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB40H65FB 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:HB 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):160A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，40A 功率 - 最大值:283W 開關(guān)能量:498μJ（開），363μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:210nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:40ns/142ns 測試條件:400V，40A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB3NC120HDT4 功能描述:IGBT 1200V 14A 75W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.8V @ 15V，3A 功率 - 最大值:75W 開關(guān)能量:236μJ（開），290μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:24nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:15ns/118ns 測試條件:800V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:51ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB3NB60FDT4 功能描述:IGBT 600V 6A 68W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，3A 功率 - 最大值:68W 開關(guān)能量:125μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:16nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12.5ns/105ns 測試條件:480V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:45ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB35N35LZT4 功能描述:IGBT 345V 40A 176W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:345V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，15A 功率 - 最大值:176W 開關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:49nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:1.1μs/26.5μs 測試條件:300V，15A，5V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HT4 STGB8NC60KDT4 STGB8NC60KT4 STGBL6NC60DIT4 STGBL6NC60DT4 STGD10HF60KD STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4 STGD10NC60ST4 STGD1100LT1G STGD14NC60KT4 STGD18N40LZ-1 STGD18N40LZT4 STGD19N40LZ