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STD4LN80K5

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • STD4LN80K5
    STD4LN80K5

    STD4LN80K5

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST

  • DPAK

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • STD4LN80K5
    STD4LN80K5

    STD4LN80K5

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO252

  • 22+

  • -
  • 每一片都來(lái)自原廠,正品保證

  • STD4LN80K5
    STD4LN80K5

    STD4LN80K5

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人:林先生

    電話:135-3814-2003

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 12004

  • ST(意法)

  • 原裝正品

  • 23/24+

  • -
  • 只做原裝正品 假一賠十 現(xiàn)貨

  • STD4LN80K5
    STD4LN80K5

    STD4LN80K5

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:雷小姐

    電話:0755-2391507123915070(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 65203

  • ST

  • DPAK

  • 2020+

  • -
  • ★★★真實(shí)庫(kù)存,假一賠十,原廠授權(quán)★★★

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
STD4LN80K5 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? K5
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 3A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 3.7nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±30V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 122pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 60W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 2.6 歐姆 @ 1A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DPAK
  • 封裝/外殼
  • TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STD4LN80K5 技術(shù)參數(shù)
  • STD47N10F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,STripFET? F7 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):45A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 22.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1640pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD46P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 46A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 23A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):34nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3525pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD46N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 15A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1065pF @ 30V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD45P4LLF6AG 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,STripFET? F6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):65.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3525pF @ 25V 功率 - 最大值:58W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD45NF75T4 功能描述:MOSFET N-CH 75V 40A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1760pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD4NK60Z-1 STD4NK60ZT4 STD4NK80Z-1 STD4NK80ZT4 STD4NS25T4 STD50N03L STD50N03L-1 STD50NH02L-1 STD50NH02LT4 STD5100CTR STD5100TR STD5150TR STD5200TR STD52P3LLH6 STD5406NT4G STD5406NT4G-VF01 STD5407NNT4G STD5407NT4G
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